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  • RY4927  雙P管,低內阻,SOP封裝MOS管代替AO4807L,AO4805L
    RY4927  雙P管,低內阻,SOP封裝MOS管代替AO4807L,AO4805L
  • RY4927 雙P管,低內阻,SOP封裝MOS管代替AO4807L,AO4805L
  •   發布日期: 2023-08-23  瀏覽次數: 831

    RY4927 雙P管,低內阻,SOP封裝MOS管,參數:-30V/-30V, 15MR內阻, SOP-8封裝

    RY4927結合了先進的溝道MOSFET技術和低電阻封裝,以提供極低的Rds(on)。這種裝置是負載開關和電池保護應用的理想選擇。

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    RY4927核心參數:

    漏源電壓(Vdss):-30V 雙P管

    25°C 時電流-連續漏極:(Id)9A

    不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):15mΩ@8A,10V

    不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA

    不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

    不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1000pF @ 15V

    工作溫度:-55°C ~ +150°C(TJ)

    功率-最大值:2W

    封裝:8-SOIC

    FET 類型:P-Channel

    安裝類型:表面貼裝型

    詳細資料參數聯系我們QQ或者微信獲取

     

     


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