131 1300 0010
隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導體材料開始備受關注。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大 功率器件 。目前很多國家（也包括中國）都把發展第三代半導體材料及其相關器件等列為半導體重要新興技術領域，投入巨資支持發展。
近日，全球知名的半導體廠商英飛凌科技股份公司推出了氮化鎵（GaN）解決方案CoolGaN™ 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關管專用驅動IC（GaN EiceDRIVER™ IC）。據悉，英飛凌產品的優越性包括：它們具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕便的設計，從而降低系統總成本和運行成本，以及減少資本支出。
CoolGaN擁有行業領先的可靠性
隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產品的公司。最新發布的CoolGaN 600 V增強型HEMT采用可靠的常閉概念，它經專門優化，可實現快速開通和關斷。它們可在開關模式電源（SMPS）中實現高能效和高功率密度，其優值系數（FOM）在當前市場上的所有600 V器件中首屈一指。
CoolGaN開關的柵極電荷極低，且具有極少輸出電容，可在反向導通狀態下提供優異的動態性能，進而大幅提高工作頻率，從而通過縮小被動元器件的總體尺寸，提高功率密度。 英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數校正（PFC）變流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達到160 W /in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。
據悉，CoolGaN擁有行業領先的可靠性。在質量控制過程中，我們不僅對器件本身進行全面測試，而且對其在應用環境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至優于最高質量標準。CoolGaN 600 V增強型HEMT可提供70 m?和190 m?的SMD封裝，確保杰出的散熱性能和低寄生效應。通過提供全系列SMD封裝產品，英飛凌旨在支持高頻運行的應用，如企業級超大規模數據中心服務器、通信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。氮化鎵開關管專用驅動IC（GaN EiceDRIVER IC）。
同步推出 GaN EiceDRIVER柵極驅動IC
英飛凌新推出的氮化鎵開關管 驅動芯片 EiceDRIVERIC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔。它們經專門研發，以確保CoolGaN開關實現強健且高效的運行，同時最大限度地減少工程師研發工作量，加快將產品推向市場。
不同于傳統功率MOSFET的柵極驅動IC，這個針對英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處于關閉狀態的整個持續時間內，GaNEiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響，哪怕是首脈沖，這對于SMPS實現強健運行至關重要 。
氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaNHEMT開關轉換速率，幾乎不受工作循環或開關速度影響 。這可確保運行穩健性和很高能效，大大縮短研發周期 。它集成了電隔離 ，可在硬開關和軟開關應用中實現強健運行，還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護，并可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。據了解， GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引腳LGA 5x5 mm封裝，1EDF5673F采用16引腳DSO 150 mil封裝，1EDS5663H采用16引腳DSO 300 mil封裝。供貨全新CoolGaN 600 V增強型HEMT現已開始供貨，硅基GaN EiceDRIVER IC可供預訂 。
