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外形有螺栓型和平板型兩種封裝。
有三個(gè)聯(lián)接端。
螺栓型封裝，通常螺栓是其陽(yáng)極，能與散熱器緊密聯(lián)接且安裝方便。
平板型晶閘管可由兩個(gè)散熱器將其夾在中間。
圖1.晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)
a）外形b）結(jié)構(gòu)c）電氣圖形符號(hào)
常用晶閘管的結(jié)構(gòu)
按晶體管的工作原理，得：
Ic1=a1IA+ICBO1 （1-1）
Ic2=a2IK+ICBO2 （1-2）
IK=IA+IG （1-3）
IA=IC1+IC2 （1-4）
式中a1和a2分別是晶體管V1和V2的共基極電流增益；ICBO1和ICBO2分別是V1和V2的共基極漏電流。由以上式可得：
圖2.晶的雙晶體管模型及其工作原理
a）雙晶體管模型b）工作原理
在低發(fā)射極電流下a是很小的，而當(dāng)發(fā)射極電流建立起來(lái)之后，a迅速增大。
阻斷狀態(tài)：IG=0，a1+a2很小。流過(guò)晶閘管的漏電流稍大于兩個(gè)晶體管漏電流之和。
開(kāi)通狀態(tài)：注入觸發(fā)電流使晶體管的發(fā)射極電流增大以致a1+a2趨近于1的話(huà)，流過(guò)晶閘管的電流IA，將趨近于無(wú)窮大，實(shí)現(xiàn)飽和導(dǎo)通。IA實(shí)際上由于外電路負(fù)載的限制，會(huì)維持有限值。
其他幾種可能導(dǎo)通的情況：
1）陽(yáng)極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成雪崩效應(yīng)
2）陽(yáng)極電壓上升率du/dt過(guò)高
3）結(jié)溫較高
4）光觸發(fā)
只有門(mén)極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段。
晶閘管正常工作時(shí)的特性總結(jié)如下：
1）承受反向電壓時(shí)，不論門(mén)極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通。
2）承受正向電壓時(shí)，僅在門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能開(kāi)通。
3）晶閘管一旦導(dǎo)通，門(mén)極就失去控制作用。
4）要使晶閘管關(guān)斷，只能使晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。
1）靜態(tài)特性
（1）正向特性
IG=0時(shí)，器件兩端施加正向電壓，只有很小的正向漏電流，為正向阻斷狀態(tài)。
正向電壓超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo，則漏電流急劇增大，器件開(kāi)通。
隨著門(mén)極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓降低。
晶閘管本身的壓降很小，在1V左右。
圖3.晶閘管的伏安特性
（2）反向特性
反向特性類(lèi)似二極管的反向特性。
反向阻斷狀態(tài)時(shí)，只有極小的反相漏電流流過(guò)。
當(dāng)反向電壓達(dá)到反向擊穿電壓后，可能導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。
（1）開(kāi)通過(guò)程
延遲時(shí)間td（0.5~1.5ms）
上升時(shí)間tr（0.5~3ms）
開(kāi)通時(shí)間tgt以上兩者之和，tgt=td+tr（1-6）
圖4.晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形
（2）關(guān)斷過(guò)程
反向阻斷恢復(fù)時(shí)間trr
正向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr
關(guān)斷時(shí)間tq以上兩者之和tq=trr+tgr（1-7）
普通晶閘管的關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒
