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    臺積電和三星角逐7納米以下先進工藝代工戰(zhàn)場
  • 臺積電和三星角逐7納米以下先進工藝代工戰(zhàn)場
  •   發(fā)布日期: 2018-12-21  瀏覽次數(shù): 1,510

    目前來看,在資本與技術拉高進入門檻下,GlobalFoundries(GF)退場、代工并非本業(yè)的英特爾則放棄代工業(yè)務,7納米以下先進工藝代工戰(zhàn)場已成為臺積電、三星晶圓代工雙雄對戰(zhàn)競況。

     

    近日市場再度傳出英特爾(Intel)將退出晶圓代工市場,重新專注自家研發(fā)與制造事業(yè)。對此,半導體業(yè)者則表示,英特爾先前雖大張旗鼓進軍代工領域,但實際上,并無大客戶且訂單規(guī)模尚小,近年晶圓代工業(yè)務已名存實亡,接單實力與專注代工的對手群差甚大。

    因此嚴格來說,英特爾雖投入晶圓代工多時,但并未真正專注且與三星電子(Samsung Electronics)、臺積電同場較勁,英特爾退出晶圓代工與否,對于自身產(chǎn)能調配及整體代工競況影響甚小,且放棄了不賺錢且分心的代工事業(yè),在10納米以下先進工藝中,英特爾或可專注重新站穩(wěn)工藝領先地位。

    事實上,英特爾投入多年的晶圓代工業(yè)務,近2年來已不斷傳出棄守消息,但英特爾對于市場傳聞均未有所回應。進一步觀察英特爾代工事業(yè)推展,自2010年全面進軍晶圓代工市場以來,英特爾在訂單及客戶爭取上并未見顯著斬獲。

    雖在2017年技術及制造大會(Technology and Manufacturing Day)上,英特爾再次強調將協(xié)助客戶借由設計、晶圓制造、封裝及測試等統(tǒng)包式服務(turnkey services),取得英特爾的技術與制造資源,并在22、14及10納米FinFET制程,開發(fā)出各種全功能設計平臺,提供客戶前所未有的效能與電源效益組合,但迄今依舊是未見效益顯現(xiàn)。

    當中,英特爾代工業(yè)務就陸續(xù)揭露多家客戶合作消息,包括樂金電子(LG Electronics)會以英特爾10納米設計平臺為基礎,打造世界級的行動平臺,而展訊也采用英特爾的14納米晶圓鑄造平臺設計產(chǎn)品,Achronix則采用英特爾22納米Speedster 22i HD1000網(wǎng)絡硅芯片生產(chǎn)自家產(chǎn)品。

    而隨著英特爾10納米工藝延遲,連英特爾自身新舊平臺轉換都受到嚴重沖擊,對于客戶而言,英特爾工藝轉換與產(chǎn)能調配大亂,恐將影響自家產(chǎn)品量產(chǎn)時程,因此已不會選擇下單英特爾,就以樂金來看,其行動平臺藍圖就受到英特爾10納米工藝推遲影響。

    半導體業(yè)者對于英特爾傳將棄守晶圓代工市場均表示并不意外,且認為英特爾并未真正進入晶圓代工市場,其實也不算退場。業(yè)者進一步認為,英特爾當年搶進晶圓代工市場,首要目標其實應不是要與臺積電、三星等晶圓代工大廠搶生意,主要還是考慮產(chǎn)能調配最佳化。

    進一步來看,英特爾一直以來保持工業(yè)技術領先,在14納米工藝世代之前,與對手一直保持2~3個世代差距,但其實欲進入全新先進工藝世代,光是興建新廠與購置設備,往往要耗資數(shù)十億美元,全面投入工藝研發(fā)后,人力與資金規(guī)模亦相當可觀,保持工藝領先的代價十分驚人,因此,為能填補產(chǎn)能,拉高各制程產(chǎn)能利用率,進而提升獲利,英特爾遂決定分身投入晶圓代工市場。

    然而,英特爾進軍晶圓代工市場,成效并不佳,除了臺積電就穩(wěn)取逾5成市占,三星、GF等晶圓代工大廠也全力固守自身版圖外,英特爾代工報價偏高,且在整體供應鏈服務上不及臺積電、三星等對手亦是原因所在。

    而始料未及的是,英特爾近2年10納米工藝嚴重推遲,直至2019年底才會面市,自身14、22納米產(chǎn)能需求吃緊,英特爾更無暇顧及代工訂單,也因此,英特爾放棄晶圓代工,業(yè)界并不意外。

    另值得一提的是,英特爾2017年3月舉行技術及制造大會,英特爾負責制造營運及業(yè)務的執(zhí)行副總裁Stacy Smith于會中不僅宣布10納米Cannon Lake處理器將在2017年下半開始量產(chǎn),亦說明最新客制化晶圓代工(custom foundry)策略,會以14納米及10納米全力搶進晶圓代工市場。

    但原是下任執(zhí)行長熱門人選的Stacy Smith卻突然在2018年初轉戰(zhàn)東芝任職,離職原因雖說是退休,但由其在2017年技術及制造大會上所宣布的2大承諾均跳票,也顯見英特爾的制造業(yè)務正面臨前所未有的卡關危機,連本業(yè)都顧不好,更難同時發(fā)展代工事業(yè)。

    半導體業(yè)者表示,晶圓代工競況就是資本競賽,如GlobalFoundries不堪巨額投資,先前就宣布擱置7納米工藝推進計劃,全面聚焦現(xiàn)有12納米及14納米工藝技術,而英特爾比較不同,其是自身10納米工藝出現(xiàn)問題,新舊工藝產(chǎn)能調配大亂,供不應求下,當然先顧本業(yè),無力在代工事業(yè)有所發(fā)展,當然其原本就不具代工優(yōu)勢,報價與服務均不及對手群也是原因所在。

    目前臺積電在2018年第2季就搶先進入7納米世代,至年底設計定案(Tape out)逾50個,7納米EUV工藝也準備就緒,5納米將在2019年第2季如期進行風險試產(chǎn),2020年正式量產(chǎn),南科廠區(qū)已開始移入機臺,而下世代3納米工藝則進入環(huán)評階段,另外,臺積電也再度重啟布局供需吃緊的8寸工藝。

    對比之下,三星先前雖大動作宣布最新工藝大計,將直接推出采用EUV技術的7納米LPP工藝,現(xiàn)已研發(fā)完成,將進入商用化階段,不過,除三星自身產(chǎn)品外,并未見重要客戶大單落袋,目前蘋果2019年A13芯片仍是委由臺積電獨家代工。

    盡管國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會日前公布全球晶圓廠預測報告,受到存儲器價格崩跌與美中貿易戰(zhàn)等影響,2019年全球晶圓廠設備投資金額預將由原先預估的年成長7%,下修15個百分點至年衰退8%,而臺灣地區(qū)則是在臺積電積極布建5納米晶圓廠帶動下,臺灣地區(qū)2019年晶圓廠支出金額將逆勢出現(xiàn)24%年成長率表現(xiàn)。

    對比之下,受到NAND Flash價格下跌、DRAM價格近期也出現(xiàn)松動等影響,連2年的 DRAM 盛世將結束,存儲器業(yè)者快速反應市場情況,并減少資本支出,并暫緩所有已訂購設備出貨,使得2019年整體存儲器資本支出將年減19%,當中,韓國存儲器雙雄三星及SK海力士大砍資本支出為2019年全球晶圓廠設備投資金額大減的重要關鍵所在。


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