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131 1300 0010
100V
  • 導(dǎo)航欄目
  • 場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFET
  • 快速恢復(fù)二極管/FRED
  • 肖特基二極管/SBD
  • LOW VF肖特基二極管
  • 整流橋堆/BR
  • 穩(wěn)壓二極管/ZD
  • 整流二極管/RD
  • 其他元件/OTHER
  • SR2100
    SR2100
    SR2100
    發(fā)布者:日月辰科技
    規(guī)格型號(hào)
    SR2100
    產(chǎn)品參數(shù)
    電壓:100V,電流:2A,Vf:0.85V,Trr:ns
    產(chǎn)品品牌
    ST,MIC
    產(chǎn)品封裝
    DO-15
    ?
    詳細(xì)說(shuō)明

    SR2100 插件 ?100V 2A,峰值50A,原裝MIC ? 原裝ST品牌

    一、產(chǎn)品參數(shù):
    是否提供加工定制: 產(chǎn)品類型: 肖特基管
    封裝: DO-15 品牌: XL
    型號(hào): SR2100 材料: 硅(Si)
    主要參數(shù): 2A 100V 用途: 二極管
    二、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:   肖特基二極管是近年來(lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航祪H0.4V左右,而整流電流卻可達(dá)到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無(wú)法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。   肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士(Walter Hermann Schottky,1886年7月23日—1976年3月4日)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。
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