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  • 智能功率模塊IPM的結(jié)溫評估
    智能功率模塊IPM的結(jié)溫評估
  • 智能功率模塊IPM的結(jié)溫評估
  •   發(fā)布日期: 2021-08-14  瀏覽次數(shù): 1,392

    作者 英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用工程師 王剛 田斌

    引言

     

    IPM模塊是電機驅(qū)動變頻器的最重要的功率器件, 近些年隨著IPM模塊的小型化使模塊Rth(j-c)變大,從而對溫升帶來了越來越多的挑戰(zhàn);雖然芯片技術(shù)的進步會降低器件損耗,能一定程度緩解小型化的溫升問題,但不斷成熟的控制技術(shù)和成本控制也需要更有效的利用結(jié)溫評估結(jié)果進行靈活保護。在實際應(yīng)用中,工程師最直接也是最常見的一個問題就是:我檢測到了IPM的NTC的溫度,那么里面IGBT&MOSFET真實的結(jié)溫是多少?本文詳細敘述了實際使用時對IPM模塊的各種結(jié)溫的計算和測試方法,從直接紅外測試法,內(nèi)埋熱敏測試,殼溫的測試方法,都進行詳細說明,以指導(dǎo)技術(shù)人員通過測量模塊自帶的Tntc的溫度估算或測試IPM變頻模塊的結(jié)溫,然后利用開發(fā)樣機測試結(jié)果對實際產(chǎn)品進行結(jié)溫估算標(biāo)定,評估IPM模塊運行的可靠性。

    實際產(chǎn)品中IPM結(jié)溫評估的重要性和評估條件

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    很顯然在實際產(chǎn)品中,我們能檢測的溫度信息有Tntc,Ta,以及其他信息有系統(tǒng)功率(或相電流,母線電壓),散熱風(fēng)速(影響熱阻)等,而在開發(fā)樣機階段除了Tntc,Ta,還能通過一定手段檢測Tc,IPM的耗散功率等,從而能根據(jù)實際功率,熱阻參數(shù),Tc來估算Tj。

    實際產(chǎn)品與開發(fā)樣機需要保證負載功率,IPM參數(shù),系統(tǒng)熱阻模型都一致,才能通過開發(fā)測試樣機的定標(biāo)測試結(jié)果來設(shè)定實際產(chǎn)品不同工況的保護限值,所以實際產(chǎn)品需要利用的定標(biāo)參數(shù)包括:實際的負載信息,Ta,Tntc,散熱風(fēng)速等。

    IPM的熱阻模型

    在準(zhǔn)備評估結(jié)溫前,我們先復(fù)習(xí)一遍IPM的熱阻模型,如下圖以英飛凌自帶NTC的Mini系列IPM模塊散熱器安裝結(jié)構(gòu)為例:

    圖1.IPM的熱阻模型

    如圖2,P1是IGBT晶圓到模塊底部和散熱器的散熱路徑,P2是IGBT晶圓到模塊上部的散熱路徑,由于Rthch+Rthha《《Rthc2a,所以P1為主要的功率耗散通道。同時我們要注意散熱風(fēng)量會影響Rthha跟Rthc2a。

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    圖2.IPM的簡化熱阻模型

    IPM的結(jié)溫計算

    IPM的損耗是由IGBT的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗組成,驅(qū)動芯片的損耗可以忽略不計,計算原理和分立IGBT的損耗計算是一樣的,英飛凌在相關(guān)文檔都有很詳細的論述。

    這里只簡要提及計算過程,先利用規(guī)格書上圖3的I-V曲線找到不同電流條件下的Vcesat和Vf,通過跟實時電流的積分計算IGBT跟diode的導(dǎo)通損耗。然后利用雙脈沖測試平臺測試不同電流條件下的Eon,Eoff,Erec損耗, 再通過積分計算得到開關(guān)損耗。當(dāng)然,因為規(guī)格書參數(shù)本身會存在范圍誤差,為了得到更準(zhǔn)確地數(shù)值,實際操作時可能需要更準(zhǔn)確的實測數(shù)據(jù)得到Ptotal。

    得到Ptotal后,我們可以通過以下公式來計算單顆晶圓上的結(jié)溫Tj:

    Tj=Tc+Ptotal*Rthj-c

    Tj:IGBT的結(jié)溫

    Tc:模塊晶圓正下方的表面溫度

    Ptotal:IGBT開關(guān)和導(dǎo)通損耗

    Rthj-c:IGBT芯片和到封裝表面之間的熱阻

    圖3.IGBT和二極管的I-V曲線

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    圖4.英飛凌IPM仿真工具

    對于英飛凌IPM產(chǎn)品來說,我們有一個更簡便的方法,如圖4可以利用仿真工具輸入實際使用的系統(tǒng)條件就可以直接算出對應(yīng)IPM在指定條件下的損耗和結(jié)溫。

    結(jié)溫的檢測方法

    通常我們能想到兩種最直接的辦法,一種紅外測溫儀直接檢測,一種是預(yù)埋熱電藕測試。

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    圖5.紅外測溫儀測試結(jié)溫

    如圖5第一種方法是將模塊在最熱的晶圓處開口,露出晶圓并將其涂黑,用紅外測溫儀測量晶圓溫度。這種方法通常在工程研究上做參考評估用,實際產(chǎn)品測試時因空間結(jié)構(gòu)所限往往并不可取。

    第二種方法需要IPM廠家提供預(yù)埋熱電偶的樣品,在最熱晶圓處開孔至晶圓外露,預(yù)埋熱電藕于晶圓上方足夠近但又不接觸到晶圓的地方,樣機測試時可以通過數(shù)據(jù)采集儀讀取芯片溫度。

    預(yù)埋熱電偶的測量方法建議通過測量IPM的直流非開關(guān)工作狀態(tài)來模擬等損耗條件的實際工作狀況;直接進行動態(tài)負載測試建議采用手持式測溫儀減小干擾,并對測量引線及設(shè)備的布放進行優(yōu)化,實際操作時難度還是非常大的。

    利用結(jié)殼熱阻法測量模塊結(jié)溫是比較常見并且有效的一種方法:先測試殼溫Tc,通過結(jié)殼熱阻Rthj-c,然后利用我們上述計算出來的Ptotal功耗來計算得到結(jié)溫(Tj=Tc+Ptotal*Rthj-c)。

    Tc殼溫指的是最高結(jié)溫晶圓正對散熱器的殼的溫度,要測得此點溫度需要在散熱器鉆孔或者開槽布防熱電藕,如圖6的兩種開槽方式:

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    圖6.Tc測試熱電偶安裝的開槽方式

    結(jié)溫標(biāo)定

    在實際的項目開發(fā)時,我們只需要在開發(fā)前期測試各種不同極限條件下的Tc和Tntc溫度,擬合出Ta 、Vs、Tntc、Vs、Tj的對應(yīng)曲線關(guān)系。

    實現(xiàn)利用開發(fā)樣機測試結(jié)果對實際產(chǎn)品進行結(jié)溫估算標(biāo)定,必須滿足下面的條件:

    二者的負載功率以及控制方法完全相同。

    二者的系統(tǒng)熱阻參數(shù)必須相同,包括散熱器,散熱器與模塊接觸熱阻,散熱風(fēng)扇的風(fēng)量等。

    二者的IPM必須相同。


    圖7.散熱器熱阻模型標(biāo)定

    實際產(chǎn)品的上述任何參數(shù)發(fā)生了改變,理論上都要通過樣機測試進行重新標(biāo)定,圖7為例我們先標(biāo)定散熱器尺寸和風(fēng)速模型。

    然后需要實測散熱器的熱阻,下圖以風(fēng)冷散熱器為例,取幾個典型的風(fēng)速點,待熱平衡后,測量散熱器表面溫度和進風(fēng)口溫度,并計算散熱器熱阻。

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    圖8.散熱器熱阻Vs風(fēng)速曲線

    在相同條件下,通過讀取Tntc的溫度值,同時考慮到風(fēng)速對散熱器熱阻的影響,我們可以得到圖9的Tj 、VS、Tntc的擬合關(guān)系如下:

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    圖9.Tj VS Tntc在不同風(fēng)速下的擬合曲線

    同時結(jié)合系統(tǒng)負載,可以得到如圖10對應(yīng)不同Ta條件下的受限于Tjmax的輸出功率值(或者負載相電流值),以及Po-limit(Io-limit)vs.Tntc的曲線。

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    圖10.Po-limit(Io-limit)vs. Tntc的曲線

           結(jié)束語

    利用測試樣機的結(jié)溫估算結(jié)果,可以在批量生產(chǎn)的產(chǎn)品中針對估算得到的經(jīng)驗數(shù)據(jù),在不同Ta條件下,根據(jù)Tntc檢測結(jié)果的變化,來設(shè)定不同的功率限制值,從而控制Tj不要超過設(shè)定Tjmax值,保護IPM不會過熱而損壞。

    功率達到限制值后的另外選擇:提高散熱風(fēng)扇的風(fēng)速,同時提升輸出功率限值到新風(fēng)速下的新限值,后期我們就可以直接采用Tntc溫度來合理評估溫度保護何限頻(電機轉(zhuǎn)速頻率)點。


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