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    常用的MEMS封裝形式有哪些
  • 常用的MEMS封裝形式有哪些
  • 來源:九戒墨  發布日期: 2021-10-27  瀏覽次數: 1,460

    MEMS封裝技術主要源于IC封裝技術。IC封裝技術的發展歷程和水平代表了整個封裝技術(包括MEMS封裝和光電子器件封裝)的發展歷程及水平。MEMS中的許多封裝形式源于IC封裝。目前在MEMS封裝中比較常用的封裝形式有無引線陶瓷芯片載體封裝(LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier)、金屬封裝、金屬陶瓷封裝等,在IC封裝中倍受青睞的球柵陣列封裝(BGA-Ball Grid Array)、倒裝芯片技術(FCT-Flip Chip?Technology)、芯片尺寸封裝(CSP-Chip Size Package)和多芯片模塊封裝(MCM-MulTI-Chip Module)已經逐漸成為MEMS封裝中的主流。BGA封裝的主要優點是它采用了面陣列端子封裝、使它與QFP(四邊扁平封裝)相比,在相同端子情況下,增加了端子間距(1.00mm,1.27mm,1.50mm),大大改善了組裝性能,才使它得以發展和推廣應用。21世紀BGA將成為電路組件的主流基礎結構。

      在MCM封裝中最常用的兩種方法是高密度互連(High Density Interconnect簡稱HDI)和微芯片模塊D型(Micro Chip Module D簡稱MCM-D)封裝技術。高密度互連(HDI)MEMS封裝的特點是把芯片埋進襯底的空腔內,在芯片上部做出薄膜互連結構。而微模塊系統MCM-D封裝是比較傳統的封裝形式,它的芯片位于襯底的頂部,芯片和襯底間的互連是通過引線鍵合實現。HDI工藝對MEMS封裝來說有很大的優越性。由于相對于引線鍵合來說使用了直接金屬化,芯片互連僅產生很低的寄生電容和電感,工作頻率可達1GHz以上。HDI還可以擴展到三維封裝,并且焊點可以分布在芯片表面任何位置以及MCM具有可修復的特性。

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