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1、對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2、若對(duì)中小型功率電源(50W到500W)且有一定的效率設(shè)計(jì)要求則需要開通電阻Rg(on)和關(guān)斷電阻Rg(off)分開一般采用以下兩種方式設(shè)計(jì)。
這一種設(shè)計(jì)方式Rg(on)=Rg1+Rg2，Rg(off)=Rg1。
這種設(shè)計(jì)方式將Rg(on)和Rg(off)分開便于調(diào)整。
3、對(duì)于中等功率的電源(300W到1500K)對(duì)于MOS管的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)不僅需要開通電阻和關(guān)斷電阻分開，還需要對(duì)驅(qū)動(dòng)米勒平臺(tái)進(jìn)行處理。一般簡(jiǎn)單的處理方式會(huì)在MOS管的GS之間增加一組RC電路，通過調(diào)整RC參數(shù)來調(diào)整MOS管米勒平臺(tái)內(nèi)振蕩的問題。設(shè)計(jì)方式如下。
參數(shù)設(shè)計(jì)需根據(jù)設(shè)計(jì)電路和MOS管的選型最終調(diào)試決定。
4、對(duì)于中等偏上功率乃至大功率的電源(1200W到5KW甚至到10KW)對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)就顯得尤為重要了。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)跟很多方面都有相當(dāng)大的關(guān)系，包括MOS管的選型，不同廠商的寄生參數(shù)差異，功率走線的設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)器的選型與設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)回路的設(shè)計(jì)等等。一般在MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上有以下幾種設(shè)計(jì)思路。其主要目的在于在MOS管的GS之間抑制振蕩和減小回路。設(shè)計(jì)方式如下。
利用三極管在驅(qū)動(dòng)關(guān)斷時(shí)直接將G級(jí)拉到S級(jí)。
減小了驅(qū)動(dòng)關(guān)斷回路，增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)抗干擾能力。
利用NMOS在驅(qū)動(dòng)關(guān)斷時(shí)直接將G級(jí)拉到S級(jí)。
減小了驅(qū)動(dòng)關(guān)斷回路，增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)抗干擾能力。
利用三極管在驅(qū)動(dòng)關(guān)斷時(shí)直接將G級(jí)拉到S級(jí)。
減小了驅(qū)動(dòng)關(guān)斷回路，增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)抗干擾能力。
同時(shí)在GS電阻上串聯(lián)二極管，進(jìn)一步增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)線路的抗干擾能力。
5、在驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)上也是一樣，必須減小甚至避免功率回路干擾，另外則是在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸入源頭進(jìn)行信號(hào)的處理避免干擾信號(hào)耦合到真實(shí)信號(hào)中。具體設(shè)計(jì)方式如下。
采用圖騰柱的方式作為驅(qū)動(dòng)器，此方式成本低適合中小功率和對(duì)成本要求較苛刻的產(chǎn)品。
采用驅(qū)動(dòng)IC作為驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)MOS或者驅(qū)動(dòng)變壓器，此方式適合功率較大且驅(qū)動(dòng)線路較長(zhǎng)的設(shè)計(jì)。信號(hào)的輸入端增加下拉電阻和RC濾波，對(duì)驅(qū)動(dòng)IC輸入信號(hào)進(jìn)一步處理保證信號(hào)干凈和增強(qiáng)抗干擾能力。
總結(jié)：在電源的調(diào)試過程中驅(qū)動(dòng)信號(hào)的調(diào)試顯得尤為重要，這不僅對(duì)電源的可靠性，電源的效率，電源的設(shè)計(jì)溫升和EMC特性都顯的尤為重要。因此設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)回路便成了設(shè)計(jì)電源的一項(xiàng)重要指標(biāo)。驅(qū)動(dòng)參數(shù)的合理性直接影響電源的各方面性能。
