30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關斷引起
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可以用增大MOS 驅動電阻；
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RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；
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VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決；
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或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；
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在MOSFET 的D-S 腳并聯一個小吸收電路；
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在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；
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在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
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PCB 心LAYOUT 時大電解電容，變壓器，MOS 構成的電路環盡可能的小；
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變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起
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可以在整流管上串磁珠；
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調整輸出整流管的吸收電路參數；
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可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當的電阻；
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也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）。
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增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.
200MHZ 以上開關電源已基本輻射量很小，一般可過EMI 標準。
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