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? ? ? ? ?SGT 中文全稱：屏蔽柵溝槽。英文全稱：Shield Gate Trench。 屏蔽柵/分立柵MOSFET技術(shù)(Shield Gate Trench MOSFET)，MOS器件第一個深溝槽(Deep Trench)作為“體內(nèi)場板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷，這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率，從而降低器件的比導通電阻(RSP)和柵極電荷(Qg)。第二個源極溝槽(Source Trench)作為有源區(qū)接觸電極，該設(shè)計能減小原胞尺寸(Pitch Size)和改善器件比導通電阻，有利于提高器件高溫、大電流能力及EAS能力。第三個柵極溝槽(Gate Trench)作為有柵極接觸電極，該設(shè)計能優(yōu)化器件MOS工藝流程，降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本，同時提高產(chǎn)品良率。
? ? ? ?SGT技術(shù)優(yōu)勢，具體體現(xiàn)：
優(yōu)勢1：提升功率密度
SGT結(jié)構(gòu)相對傳統(tǒng)的Trench結(jié)構(gòu)，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，顯著降低了MOSFET器件的特征導通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形PDFN5*6，采用SGT芯片技術(shù)，可以得到更低的導通電阻。
優(yōu)勢2：極低的開關(guān)損耗
SGT相對傳統(tǒng)Trench結(jié)構(gòu)，具有低Qg 的特點。屏蔽柵結(jié)構(gòu)的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上，有助于降低器件在開關(guān)電源應(yīng)用中的開關(guān)損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應(yīng)用中抑制shoot-through的關(guān)鍵指標，采用SGT結(jié)構(gòu)，可以獲得更低的CGD/CGS比值。
優(yōu)勢3：更好的EMI優(yōu)勢
SGT MOS結(jié)構(gòu)中的內(nèi)置電阻電容緩沖結(jié)構(gòu)，可以抑制DS電壓關(guān)斷時的瞬態(tài)振蕩，開關(guān)電源應(yīng)用中，SGT結(jié)構(gòu)中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關(guān)斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，進一步降低應(yīng)用風險。
